LED灯光取代阳光的植物工厂。
“在植物照明中，LED需要对不同植物或同一种植物不同生长周期的光谱进行精准响应。越精准的光谱背光，其照明效率就越高。”植物工厂相关负责人表示。不仅如此，三安光电的LED芯片还应用在了车载照明、手机背光、商业显示、可穿戴设备、医疗美容、UVC杀菌等中高端应用领域，这也是目前三安光电布局发力的主要方向之一。
三安光电股份有限公司董事、副总经理林志东表示：“目前，三安光电在全球LED芯片市场的份额已达到30%，也就是说，全球每三颗LED芯片中，就有一颗是三安的。”三安光电在LED芯片领域的突破，也为他们拿下了第一个“国家科学技术进步奖一等奖”：2020年1月，由中国科学院半导体研究所、三安光电等单位共同完成的“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目获得国家科学技术进步奖一等奖。
打破第三代半导体依赖进口的现状
事实上，支撑三安光电在LED芯片领域取得不断突破的，是他们从LED衬底到芯片的完整产业链布局及垂直整合模式。这一模式，他们也运用到了化合物半导体其他领域中。
据悉，三安光电旗下的湖南三安半导体有限公司是国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台。总投资额达160亿元的湖南三安半导体项目，是目前全球第三家、中国第一家第三代碳化硅6英寸及8英寸功率芯片垂直产业链整合制造平台。其产业链包括晶体生长、衬底制备、外延生长、芯片制程、封装测试等，已拥有碳化硅配套产能16000片/月、硅基氮化镓产能2000片/月。目前，湖南三安产品良率水平位居国内前列并稳步提升，6英寸碳化硅衬底、外延已向国际客户批量出货，8英寸衬底已小批量试生产并在客户端验证。
谈及碳化硅的技术难度，林志东表示：“碳化硅的最大潜力在新能源汽车领域。这类芯片相当于传统汽车的变速箱，对可靠性的要求很高。我们与理想合作了三年，做了大量的可靠性实验测试。这种技术积累对基本功的要求很高，经过几年的研发试验，现在已逐步开始上量。”
目前，湖南三安半导体项目重点研究、生产的是第三代半导体碳化硅材料与器件，其打破了当前第三代半导体功率芯片90%以上依赖进口的现状，让众多前沿产业用上国产第三代半导体功率芯片和器件。
三安光电也因其超100万片的规划年产能规模和8英寸SiC技术水平，开始在全球同行业中具有较强的竞争力。尤其是自2023年以来，三安光电与意法半导体在重庆设立的合资公司已初具雏形，这家以8英寸碳化硅为主的芯片厂，加上三安光电独资的衬底厂总共计划投资近300亿元，达产后每年产能为48万片，目前首期产线已于11月完成点亮，明年即将通线投产，开始小批量供货。
实现5G基站氮化镓芯片国产化
今年6月，三安光电再度获得了国家科学技术进步奖一等奖。由三安光电与西安电子科技大学、中兴通讯等单位共同完成的“高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在5G通信产业化应用”项目，获得2023年度国家科学技术进步奖一等奖。连续两次获奖，充分说明了三安人重研发、敢投入的创新精神。
“我们解决了氮化镓芯片应用的可靠性问题，保证了5G基站建设的顺利推进。”林志东表示，“我们的氮化镓射频芯片项目于2014年建立，可谓十年磨一剑。目前在国内5G基站建设里，国产化射频芯片已占据半壁江山。”
据悉，旗下子公司三安集成在该项目中承担了外延和器件研发、量产批次性供货的角色。通过项目攻关，三安光电集成建立了自主可控的芯片制造平台，形成了自主知识产权氮化镓功放芯片制造工艺技术解决方案，开发出大宽带、高效率、高线性氮化镓功率放大器的芯片工艺技术，并通过了5G组件和系统等可靠性验证，实现了全球最大规模5G基站的产业化应用，目前已在客户端稳定批量出货。
三安射频事业部氮化镓自主工艺技术平台。
射频前端芯片包括PA（功率放大器）、LNA（低噪声放大器）、滤波器、开关等。根据测算，在砷化镓PA代工市场中，三安光电的出货量已经达到全球前三、中国大陆第一，市场份额大约在25%—30%。值得一提的是，今年三安光电的砷化镓射频平均稼动率创造新高，高峰时达到95%，三安光电也完成了20000片月产能的扩建。
“保持对新技术、新产品、新应用的敏感度和接受度，提升芯片的性能差异和技术竞争力，与世界级的人才和伙伴展开合作，是取得技术创新的关键所在。”林志东说。返回搜狐，查看更多